F411MR12W3M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、正向电压（Vf） 4.2 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Quad。
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F417MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 F4-17MR12W1M1H_B70 SP005634635。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF433MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 F4-33MR12W1M1H_B70 SP005634575。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF46MR20W3M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 470 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.91 Ω。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesF48MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、型号别名 F4-8MR12W2M1H_B70 -。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesF48MR12W2M1HPB76BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、型号别名 F4-8MR12W2M1HP_B76 -。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF11MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 11.3 mOhms，采用 92 mm x 20 mm x 30 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF17MR12W1M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF17MR12W1M1H_B11 SP005634554。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF17MR12W1M1HB17BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 50 A、漏源导通电阻（Rds On） 16.2 mOhms、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V，采用 48 mm x 33.8 mm x 12 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF17MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF17MR12W1M1H_B70 SP005634488。
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