Infineon Technologies
F46MR20W3M1HB11BPSA1
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 470 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.91 Ω。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- EasyPACK
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
17 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 470 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.91 Ω
- 栅源电压（Vgs）
- - 7 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 74 ns
展开更多参数（5 项）
- 产品
- Modules
- 上升时间
- 261 ns
- 典型关断延迟时间
- 276 ns
- 典型导通延迟时间
- 156 ns
- 型号别名
- F4-6MR20W3M1H_B11 SP005975717
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。