Infineon Technologies
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 11.3 mOhms，采用 92 mm x 20 mm x 30 mm 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- 92 mm x 20 mm x 30 mm
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
20 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 100 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 11.3 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.5 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 28 ns
展开更多参数（8 项）
- 正向电流（If）
- 89 A
- 上升时间
- 16.4 ns
- 类型
- 2 N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 64.3 ns
- 典型导通延迟时间
- 25.1 ns
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 反向电压（Vr）
- 1.2 kV
- 型号别名
- FF11MR12W2M1H_B70 SP005751849
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。