MMBFJ112
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 4～20 mA，采用 SOT-23 封装。
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MMBFJ112
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、连续漏极电流（Id） 5 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsSMPJ112
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 5 V、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETSMPJ112A
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 5 V、栅源击穿电压（Vgs） - 40 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETSMPJ112ATR
InterFET
JFETs JFET N-Channel -40V Low Noise
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsSMPJ112TR
InterFET
JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsSQJ112EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 95 A，采用 PowerPAK-SO-8L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSSM3J112TU(TE85L)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Small Signal、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 UFM-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSSM3J112TU,LF
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 1.1 A，采用 UFM-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET