onsemi
MMBFJ112
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源截止电压 - 5 V、连续漏极电流（Id） 5 mA，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- JFETs
- 产品系列
- MMBFJ112
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 35 V
- 栅源截止电压
- - 5 V
- 连续漏极电流（Id）
- 5 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 50 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 晶圆制造国家或地区
- 日本
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 最大漏栅电压
- 35 V
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- MMBFJ112_NL
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。