ON Semiconductor / Fairchild
MMBFJ112
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 35 V、栅源电压为零时的漏源电流 4～20 mA，采用 SOT-23 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- JFET
- 产品系列
- MMBFJ112
- 封装
- SOT-23
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 35 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 4～20 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 50 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作温度范围
- - 55 C to + 150 C
- 类型
- JFET
- 栅源截止电压
- - 5 V
- 型号别名
- MMBFJ112_NL
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。