Microchip Technology
APT45GP120BG
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 3.3 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 100 A，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- IGBTs
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 3.3 V
- 最大栅射电压
- - 20 V, 20 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 100 A
- 耗散功率（Pd）
- 625 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 100 A
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 商品名称
- POWER MOS 7 IGBT
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 1.340411 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。