Qorvo
QPD1009TR7
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 1 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 GaN RF Transistor、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 SMD-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- SMD-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
14 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 145 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.6 A
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 16 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 美国
- 增益
- 26.8 dB
- 最大工作频率
- 4 GHz
- 最小工作频率
- 1 GHz
- 输出功率
- 42.4 dBm
- 产品
- 射频晶体管
展开更多参数（2 项）
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 类型
- GaN RF Transistor
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。