Semelab / TT Electronics
2N2369ADCSM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- TT Electronics
- 品牌
- Semelab / TT Electronics
- 产品类别
- 晶体管
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 4.5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 200 mV
- 最大直流集电极电流
- 200 mA
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 120 at 10 mA, 350 mV
- 最小直流电流增益（hfe）
- 40 at 10 mA, 350 mV
- 耗散功率（Pd）
- 360 mW
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。