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Infineon Technologies

BFQ19SH6327XTSA1

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 15 V、集电极-基极电压(VCBO) 20 V、发射极-基极电压(VEBO) 3 V、增益带宽积(fT) 5.5 GHz,采用 SOT-89-4 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
封装
SOT-89-4
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
15 V
集电极-基极电压(VCBO)
20 V
发射极-基极电压(VEBO)
3 V
增益带宽积(fT)
5.5 GHz
工作温度范围
-65~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
140
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
连续集电极电流
120 mA
展开更多参数(4 项)
最小直流电流增益(hfe)
70
耗散功率(Pd)
1 W
型号别名
19S BFQ H6327 SP001125294
单件重量
0.004603 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BFQ19SH6327XTSA1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技