Infineon Technologies
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Module、正向电压（Vf） 4.4 V、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 EasyPACK 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 半导体器件
- 产品系列
- EasyPACK
- 封装
- EasyPACK
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
15 项参数- 产品
- Module
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 正向电压（Vf）
- 4.4 V
- 栅源电压（Vgs）
- - 7 V, + 20 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 下降时间
- 23 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 160 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 8.1 mOhms
- 上升时间
- 53 ns
- 商品名称
- CoolSiC
- 典型关断延迟时间
- 105 ns
- 典型导通延迟时间
- 65 ns
展开更多参数（3 项）
- 漏源击穿电压（Vds）
- 2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 型号别名
- FF6MR20W2M1HQ_B70 SP006088293
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。