Qorvo
QPD1006
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 1.4 GHz、最小工作频率 1.2 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 NI-50CW 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 产品系列
- QPD1006
- 封装
- NI-50CW
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Waffle
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 连续漏极电流（Id）
- 14 A
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 445 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 美国
- 开发套件
- QPD1006EVB3
- 增益
- 17.8 dB
- 最大漏栅电压
- 145 V
- 最大工作频率
- 1.4 GHz
- 最小工作频率
- 1.2 GHz
- 湿敏性
- 是
展开更多参数（3 项）
- 输出功率
- 450 W
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- HEMT
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。