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Toshiba

TTA0002(Q)

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 160 V、集电极-基极电压(VCBO) - 160 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 2 V、最大直流集电极电流 - 18 A,采用 2-21F1A-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
晶体管
产品系列
TTA0002
封装
2-21F1A-3
安装方式
通孔安装
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

12 项参数
晶体管极性
PNP
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 160 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 160 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
集电极-发射极饱和电压
- 2 V
最大直流集电极电流
- 18 A
增益带宽积(fT)
30 MHz
最大直流电流增益(hFE)
160
连续集电极电流
- 18 A
最小直流电流增益(hfe)
80
耗散功率(Pd)
180 W
单件重量
0.343921 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TTA0002(Q) 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技