MACOM
CGHV59350F
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 5.9 GHz、最小工作频率 5.2 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、漏源击穿电压（Vds） 125 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- MACOM
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
14 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 125 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 增益
- 11 dB
- 最大工作频率
- 5.9 GHz
- 最小工作频率
- 5.2 GHz
- 输出功率
- 450 W
- 产品
- C-Band Radar HEMTs
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
展开更多参数（2 项）
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V, 2 V
- 单件重量
- 1.304431 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。