Infineon Technologies
FS1150R08A8P3CHPSA1
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Drive G2 Module、产品 Power Modules、正向电压（Vf） 1.76 V、反向电压（Vr） 400 V、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-7 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 半导体器件
- 产品系列
- HybridPACK
- 封装
- DIP-7
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
18 项参数- 产品
- Power Modules
- 类型
- Drive G2 Module
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 正向电压（Vf）
- 1.76 V
- 反向电压（Vr）
- 400 V
- 最小工作温度
- - 40 C
- 最大工作温度
- + 175 V
- 配置
- Sixpack
- 原产国家或地区
- 德国
- 下降时间
- 91 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 600 A
- 耗散功率（Pd）
- 1 kW
展开更多参数（6 项）
- 上升时间
- 50 ns
- 典型关断延迟时间
- 929 ns
- 典型导通延迟时间
- 222 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 750 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.8 V
- 型号别名
- FS1150R08A8P3C SP006071554
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。