ChipSourceHub 美芯科技

onsemi

NSVT1601CLTWG

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2.5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 160 V、集电极-基极电压(VCBO) 180 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 LFPAK-8 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
晶体管
产品系列
NST1601CL
封装
LFPAK-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

14 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大直流集电极电流
2.5 A
最大集电极-发射极电压(VCEO)
160 V
集电极-基极电压(VCBO)
180 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
集电极-发射极饱和电压
120 mV
耗散功率(Pd)
2.2 W
增益带宽积(fT)
87 MHz
最大工作温度
+ 175 C
连续集电极电流
1.5 A
原产国家或地区
日本
展开更多参数(2 项)
最小直流电流增益(hfe)
140
最大直流电流增益(hFE)
280

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

NSVT1601CLTWG 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技