ROHM Semiconductor
BSM180C12P2E202
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 SiC Power Module、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.6 V at 180 A、栅源电压（Vgs） - 6 V, 22 V、最小工作温度 - 40 C，采用 Module 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 半导体器件
- 产品系列
- BSMx
- 封装
- Module
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- BSMx
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 产品
- Power Semiconductor Modules
- 类型
- SiC Power Module
- 正向电压（Vf）
- 1.6 V at 180 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, 22 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Chopper
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 典型延迟时间
- 49 ns
- 下降时间
- 32 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 204 A
- 耗散功率（Pd）
- 1360 W
展开更多参数（5 项）
- 上升时间
- 36 ns
- 典型关断延迟时间
- 139 ns
- 典型导通延迟时间
- 49 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1200 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.6 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。