ON Semiconductor
2SC6097-E
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 6.5 V、集电极-发射极饱和电压 100 mV,采用 TO-251-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SC6097
- 封装
- TO-251-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合(来源记录)
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 60 V
- 集电极-基极电压(VCBO)
- 100 V
- 发射极-基极电压(VEBO)
- 6.5 V
- 集电极-发射极饱和电压
- 100 mV
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 增益带宽积(fT)
- 390 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益(hFE)
- 600
- 最小直流电流增益(hfe)
- 300
- 单件重量
- 0.011993 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。
