onsemi
NSVBCP68T1G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BCP68T
- 封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 20 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 25 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 增益带宽积（fT）
- 60 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- 马来西亚
展开更多参数（4 项）
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50 at 5 mA, 10 V, 85 at 500 mA, 1 V, 60 at 1 A, 1 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 50 at 5 mA, 10 V
- 单件重量
- 0.006632 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。