IXYS
IXBT2N250-TR
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2500 V、连续漏极电流（Id） 5 A、栅源阈值电压（Vgs th） 3 V，采用 TO-268-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- BIMOSFET
- 封装
- TO-268-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 2500 V
- 连续漏极电流（Id）
- 5 A
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 10.6 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 32 W
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
展开更多参数（5 项）
- 正向跨导（最小值）
- 0.85 S
- 下降时间
- 178 ns
- 上升时间
- 280 ns
- 典型关断延迟时间
- 74 ns
- 典型导通延迟时间
- 30 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。