IXYS
MIXA81H1200EH
主要参数包括配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 120 A、栅射漏电流 500 nA、耗散功率（Pd） 390 W，采用 E3-Pack 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- MIXA81H1200
- 封装
- E3-Pack
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
9 项参数- 配置
- Half Bridge
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.8 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 120 A
- 栅射漏电流
- 500 nA
- 耗散功率（Pd）
- 390 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 最大栅射电压
- 20 V
- 商品名称
- XPT
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。