Central Semiconductor
BUX11
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、增益带宽积（fT） 8 MHz，采用 TO-3-2 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BUX11
- 封装
- TO-3-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 250 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.5 V
- 增益带宽积（fT）
- 8 MHz
- 最大直流电流增益（hFE）
- 60 at 6 A
- 连续集电极电流
- 20 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20 at 6 A
- 耗散功率（Pd）
- 150 W
- 型号别名
- BUX11 PBFREE
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。