Infineon Technologies
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 200 A、漏源导通电阻（Rds On） 5.63 mOhms，采用 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 200 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5.63 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.55 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Dual
- 组装国家或地区
- 德国
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 30 ns
展开更多参数（6 项）
- 上升时间
- 18.7 ns
- 类型
- Half Bridge
- 典型关断延迟时间
- 62.6 ns
- 典型导通延迟时间
- 20.4 ns
- 正向电压（Vf）
- 5.65 V
- 型号别名
- FF6MR12W2M1HP_B11 SP005634513
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。