ROHM Semiconductor
QS8M51HZGTR
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 1.5 A, 2 A、漏源导通电阻（Rds On） 325 mOhms, 470 mOhms，采用 TSMT-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFETs
- 封装
- TSMT-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
21 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.5 A, 2 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 325 mOhms, 470 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 4.7 nC, 17 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（9 项）
- 认证等级
- AEC-Q101
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- 日本
- 下降时间
- 15 ns, 10 ns
- 正向跨导（最小值）
- 1.9 S, 1.5 S
- 上升时间
- 10 ns, 15 ns
- 典型关断延迟时间
- 30 ns, 60 ns
- 典型导通延迟时间
- 10 ns
- 型号别名
- QS8M51HZG
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。