Toshiba Memory
TC58BYG0S3HBAI6
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Toshiba
- 品牌
- Toshiba Memory
- 产品类别
- NAND Flash
- 封装
- VFBGA-67
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 存储容量
- 1 Gbit
- 接口类型
- Parallel
- 存储组织结构
- 128 M x 8
- 数据总线宽度
- 8 位
- 电源电压范围
- 1.7～1.95 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 存储器类型
- NAND
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。