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NVVR26A120M1WST
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Power Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 400 A，采用 AHPM-15 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- NVVR26A120M1WST
- 封装
- AHPM-15
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
20 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 400 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.2 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1 kW
- 配置
- Half-Bridge
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 51 ns
展开更多参数（8 项）
- 高度
- 5 mm
- 长度
- 55.2 mm
- 上升时间
- 59 ns
- 商品名称
- EliteSiC
- 类型
- Power Module
- 典型关断延迟时间
- 220 ns
- 典型导通延迟时间
- 125 ns
- 宽度
- 55.2 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。