ON Semiconductor
2SC5415AE-TD-E
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 1 uA、增益带宽积（fT） 6.7 GHz，采用 PCP-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SC5415A
- 封装
- PCP-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 12 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2 V
- 最大直流集电极电流
- 1 uA
- 增益带宽积（fT）
- 6.7 GHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 90
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
- 单件重量
- 0.001804 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。