ChipSourceHub 美芯科技

Nexperia

PBSS304PD,115

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TSOP-6 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Nexperia
产品类别
晶体管
封装
TSOP-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

17 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
80 V
集电极-基极电压(VCBO)
80 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
最大直流集电极电流
3 A
耗散功率(Pd)
360 mW
增益带宽积(fT)
110 MHz
工作温度范围
-65~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
155 at 500 mA, 2V
高度
1 mm
长度
3.1 mm
展开更多参数(5 项)
技术
Si
宽度
1.7 mm
最小直流电流增益(hfe)
155 at 500 mA, 2 V, 140 at 1 A, 2 V, 105 at 2 A, 2 V, 60 at 3 A, 2 V, 30 at 4 A, 2 V, 20 at 5 A, 2 V
认证等级
AEC-Q101
型号别名
PBSS304PD T/R

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

PBSS304PD,115 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技