Infineon Technologies
IMYH200R012M1HXKSA1
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 123 A、漏源导通电阻（Rds On） 16.5 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TO-247-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
23 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 123 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 16.5 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 246 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 552 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- CoolSIC
展开更多参数（11 项）
- 配置
- Single
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 24 ns
- 正向跨导（最小值）
- 30 S
- 上升时间
- 13 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 典型关断延迟时间
- 50 ns
- 典型导通延迟时间
- 16 ns
- 型号别名
- IMYH200R012M1H SP005427368
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。