IXYS
IXFP44N25X3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 2.5 V，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 250 V
- 连续漏极电流（Id）
- 44 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 40 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 33 nC
- 耗散功率（Pd）
- 240 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- HiPerFET
- 正向跨导（最小值）
- 22 S
展开更多参数（4 项）
- 下降时间
- 12 ns
- 上升时间
- 23 ns
- 典型关断延迟时间
- 54 ns
- 典型导通延迟时间
- 18 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。