Toshiba
TTC012(Q)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 375 V、集电极－基极电压（VCBO） 800 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- TTC012
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 375 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 800 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 8 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 500 mV
- 最大直流集电极电流
- 2 A
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 250 at 1 mA, 5 V
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80 at 1 mA, 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 1.1 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。