ROHM Semiconductor
US6M2GTR
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V, 20 V、连续漏极电流（Id） 1.5 A, 1 A，采用 TUMT-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- TUMT-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V, 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.5 A, 1 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 170 mOhms, 280 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.5 V, 2 V
- 栅源电压（Vgs）
- 4.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 1.6 nC, 2.1 nC
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
- 配置
- Dual
展开更多参数（6 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 1 N-Channel, 1 P-Channel
- 下降时间
- 6 ns, 10 ns
- 上升时间
- 9 ns, 8 ns
- 典型关断延迟时间
- 15 ns, 25 ns
- 典型导通延迟时间
- 7 ns, 9 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。