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NVVR26A120M1WSS
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Power Module、产品 SiC Modules、正向电压（Vf） 3.8 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V、最小工作温度 - 40 C。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 半导体器件
- 产品系列
- NVVR26A120M1WSS
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
18 项参数- 产品
- SiC Modules
- 类型
- Power Module
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 正向电压（Vf）
- 3.8 V
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 配置
- Half Bridge
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 51 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 400 A
- 耗散功率（Pd）
- 1 kW
- 上升时间
- 59 ns
展开更多参数（6 项）
- 商品名称
- EliteSiC
- 晶体管极性
- N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 220 ns
- 典型导通延迟时间
- 125 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.2 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。