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KSD2012GTU
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-220F-3 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- KSD2012
- 封装
- TO-220F-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 60 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 400 mV
- 耗散功率（Pd）
- 25 W
- 增益带宽积（fT）
- 3 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 连续集电极电流
- 3 A
展开更多参数（3 项）
- 原产国家或地区
- 中国
- 最大直流电流增益（hFE）
- 320
- 单件重量
- 0.080072 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。