ROHM Semiconductor
2SCR513RTL
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 360 MHz、最大直流电流增益（hFE） 450 mA，采用 TSMT-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SCR513p
- 封装
- TSMT-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 增益带宽积（fT）
- 360 MHz
- 最大直流电流增益（hFE）
- 450 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 180
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 型号别名
- 2SCR513R
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。