MACOM
CGHV60170D-GP4
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 8 个通道、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- MACOM
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- Die
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Gel Pack
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 8 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 50 V
- 连续漏极电流（Id）
- 12.6 A
- 原产国家或地区
- 美国
- 增益
- 18 dB
- 最大工作频率
- 6 GHz
- 最小工作频率
- 0 Hz
- 输出功率
- 170 W
- 产品
- GaN HEMTs
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。