Microchip / Microsemi
APT56M50B2
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 T-MAX-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- T-MAX-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 500 V
- 连续漏极电流（Id）
- 56 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 85 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅源电压（Vgs）
- 30 V
- 栅极电荷（Qg）
- 220 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 780 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- POWER MOS 8
展开更多参数（8 项）
- 高度
- 5.31 mm
- 长度
- 21.46 mm
- 宽度
- 16.26 mm
- 正向跨导（最小值）
- 43 S
- 下降时间
- 33 ns
- 上升时间
- 45 ns
- 典型关断延迟时间
- 100 ns
- 典型导通延迟时间
- 38 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。