Vishay Semiconductors
VS-SF100SA120
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 98 A，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Screw Mount
技术参数
21 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 98 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 32.6 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, 19 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.7 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 468 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
展开更多参数（9 项）
- 下降时间
- 10.56 ns
- 高度
- 12.3 mm
- 长度
- 38.3 mm
- 产品
- Power Module
- 上升时间
- 44.32 ns
- 类型
- Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
- 典型关断延迟时间
- 36 ns
- 典型导通延迟时间
- 18.88 ns
- 宽度
- 25.7 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。