Central Semiconductor
2N6609
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-3-2 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N6609
- 封装
- TO-3-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 140 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 160 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.4 V
- 增益带宽积（fT）
- 4 MHz
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 60
- 连续集电极电流
- 16 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 5
- 耗散功率（Pd）
- 150 W
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- 2N6609 PBFREE
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。