Central Semiconductor
2N4104 PBFREE
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 30 mW、增益带宽积（fT） 540 MHz。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N4101
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 耗散功率（Pd）
- 30 mW
- 增益带宽积（fT）
- 540 MHz
- 连续集电极电流
- 50 mA
- 原产国家或地区
- 美国
- 最小直流电流增益（hfe）
- 1400 at 1 mA, 5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。