ON Semiconductor / Fairchild
FGA50S110P
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1100 V、集电极－发射极饱和电压 2.7 V、最大栅射电压 25 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、耗散功率（Pd） 300 W，采用 TO-3PN 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- FGA50S110P
- 封装
- TO-3PN
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1100 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.7 V
- 最大栅射电压
- 25 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 50 A
- 耗散功率（Pd）
- 300 W
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 栅射漏电流
- 500 nA
- 单件重量
- 0.225789 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。