Vishay Semiconductors
SISS80DN-T1-GE3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 210 A、漏源导通电阻（Rds On） 920 uOhms。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- SISS
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 210 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 920 uOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, 12 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 81 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 65 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（2 项）
- 商品名称
- TrenchFET
- 原产国家或地区
- 中国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。