Toshiba
MG400Q2YMS3(DAE)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 400 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, 25 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
16 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 400 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 25 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.6 V
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 1.35 kW
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- 日本
- 下降时间
- 0.06 us
展开更多参数（4 项）
- 产品
- SiC MOSFETS
- 上升时间
- 0.08 us
- 典型关断延迟时间
- 0.35 us
- 典型导通延迟时间
- 0.19 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。