Infineon Technologies
IMBG120R350M1HXTMA1
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 4.7 A、漏源导通电阻（Rds On） 468 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- CoolSiC 1200V
- 封装
- TO-263-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
23 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 4.7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 468 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 7 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.1 V
- 栅极电荷（Qg）
- 5.9 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 65 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- CoolSiC
展开更多参数（11 项）
- 配置
- Single
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 下降时间
- 16 ns
- 正向跨导（最小值）
- 1.2 S
- 上升时间
- 0.7 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 典型关断延迟时间
- 17 ns
- 典型导通延迟时间
- 6.3 ns
- 型号别名
- IMBG120R350M1H SP004463802
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。