ON Semiconductor / Fairchild
KSC5502DTM
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.2 kV、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.31 V，采用 TO-252-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- KSC5502D
- 封装
- TO-252-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 600 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 1.2 kV
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 12 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.31 V
- 最大直流集电极电流
- 2 A
- 增益带宽积（fT）
- 11 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 高度
- 2.3 mm
- 长度
- 6.6 mm
- 宽度
- 6.1 mm
展开更多参数（4 项）
- 连续集电极电流
- 2 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 14
- 耗散功率（Pd）
- 75 W
- 单件重量
- 0.009184 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。