ROHM Semiconductor
BST400D12P4A101
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 394 A、漏源导通电阻（Rds On） 8.6 mOhms。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 散装
技术参数
18 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 394 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 8.6 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 4 V, + 21 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.8 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.667 kW
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- 日本
展开更多参数（6 项）
- 下降时间
- 42 ns
- 产品
- Power Module
- 上升时间
- 102 ns
- 商品名称
- EcoSiC
- 典型关断延迟时间
- 198 ns
- 典型导通延迟时间
- 119 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。