EPC
EPC2307
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 63 A，采用 QFN-7 封装。
基本资料
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- EPC
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- QFN-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
18 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 200 V
- 连续漏极电流（Id）
- 63 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 10 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 6 V, - 4 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 10.1 nC
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- eGaN FET
- 配置
- Single
展开更多参数（6 项）
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 湿敏性
- 是
- 产品
- Power Transistor
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 单件重量
- 0.001069 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。