IXYS
IXA70R1200NA
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 100 A，采用 SOT-227B-4 封装。
基本资料
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- IXYS
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- SOT-227B-4
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
10 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.8 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 100 A
- 栅射漏电流
- 500 nA
- 耗散功率（Pd）
- 350 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 技术
- Si
- 最大栅射电压
- 20 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。