Central Semiconductor
CEDM8004VL TR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 450 mA，采用 SOT-883VL 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- CEDM80
- 封装
- SOT-883VL
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 450 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1 V
- 栅源电压（Vgs）
- 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 880 pC
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 100 mW
- 配置
- Single
展开更多参数（8 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 高度
- 0.32 mm
- 长度
- 1.05 mm
- 产品
- MOSFET
- 晶体管类型
- 1 P-Channel
- 宽度
- 0.65 mm
- 正向跨导（最小值）
- 200 mS
- 型号别名
- CEDM8004VL PBFREE TR
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。