ON Semiconductor / Fairchild
KSB834WYTM
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-263-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- KSB834W
- 封装
- TO-263-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 60 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 0.5 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 增益带宽积（fT）
- 9 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 200
- 高度
- 4.83 mm
- 长度
- 10.67 mm
展开更多参数（5 项）
- 宽度
- 9.65 mm
- 连续集电极电流
- - 3 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60
- 耗散功率（Pd）
- 30 W
- 单件重量
- 0.046296 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。